不同衬底条件对MEMS压阻传感器性能的影响

• 作者: 张威 隋鸿鹏
• 来源期刊: 纳米技术与精密工程
• 学科: 工学
• 关键词: 微机电系统(MEMS) 压阻 传感器 衬底
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 微机电系统
• 页码范围: 199-201
• 页数: 3页
• 分类号: TN16
• 字数: 1981字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-6030.2008.03.009

摘要

为了研究不同衬底条件对MEMS压阻传感器性能的影响,采用3种掺杂条件的衬底进行实验测试.在各步骤热过程后,对3种衬底条件下压阻区、引出区和保护框的方块电阻进行了测量和分析.通过对各部分方块电阻的测量可以看出,对于压阻区(P区),A#和B#的方块电阻在开始注入扩散时相差很小,而由于注入杂质在高温下进一步扩散,衬底掺杂浓度对扩散后杂质分布的影响加大,方块电阻在后续的热过程中差别增大.通过比较不同衬底条件下各个热过程后的压阻数据,发现在3种掺杂条件中,20-40Ω·cm的衬底最符合预期压阻的设计.此结论已用于指导实际产品生产.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张威	北京大学微电子学研究院	31	474	10.0	21.0
2	隋鸿鹏	北京大学微电子学研究院	1	1	1.0	1.0