0.28-2.80 MeV质子辐射对空间实用GaInP/GaAs/Ge多结太阳电池性能的影响

• 作者: 刘运宏 孙旭芳 王荣
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaInP/GaAs/Ge太阳电池 质子辐照 光谱响应
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 低能加速器技术、射线技术及应用
• 页码范围: 47-49
• 页数: 3页
• 分类号: TM914
• 字数: 1794字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2008.01.011

摘要

用0.28、0.62和2.80 MeV质子束模拟空间辐射对国产MOCVD方法制备的GaInP/GaAs/Ge多结电池进行质子辐射效应研究.辐照注量为1×1012 cm-2.对电池的辐射效应用I-V特性和光谱响应测试进行分析.结果表明:随质子辐照能量的增加,太阳电池性能参数Isc,Voc,Pmax和光谱响应的衰降幅度均减小,0.28MeV质子辐照引起电池性能衰降最显著;低能质子辐照引起中间GaAs电池光谱响应衰降更明显.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王荣	北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室	34	284	10.0	15.0
10	刘运宏	北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室	5	29	4.0	5.0
14	孙旭芳	北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室	5	29	4.0	5.0