国产高效GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的低能质子辐射效应

• 作者: 刘运宏 孙旭芳 崔新宇 王荣
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaInP/GaAs/Ge太阳电池 质子辐照 光谱响应
• 年，卷（期）: 2007,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1599-1602
• 页数: 4页
• 分类号: TM914
• 字数: 2303字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.10.020

摘要

运用2×1.7MV串列静电加速器提供的质子束,对MOCVD方法制备的GaInP/GaAs/Ge三结电池进行低能质子辐射效应研究.选质子能量为0.28,0.62和2.80MeV,辐照注量为1×1010,1×1011,1×1012和1×1013cm-2.对电池的辐射效应用I-V特性和光谱响应测试进行分析.研究结果表明:随辐照注量的增加,太阳电池性能参数Lsc,Voc和Pmax的衰降幅度均增大;但随质子辐照能量的增加,Lsc,Voc和Pmax的衰降幅度均减小.实验中0.28MeV质子辐照引起电池Lsc,Voc,Pmax衰降最显著,三结电池中光谱响应衰降最明显的是中间GaAs电池.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	崔新宇	中国电子科技集团公司第十八研究所	8	50	4.0	7.0
2	王荣		13	105	7.0	9.0
3	孙旭芳		3	39	2.0	3.0
4	刘运宏		3	39	2.0	3.0