直流电弧等离子体CVD金刚石膜工艺参数优化

• 作者: 张鬲君 苗晋琦 钟国防
• 来源期刊: 金刚石与磨料磨具工程
• 学科: 工学
• 关键词: 直流电弧等离子体喷射 化学气相沉积 金刚石膜 工艺参数
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 试验与研究
• 页码范围: 70-73
• 页数: 4页
• 分类号: TQ164
• 字数: 1534字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-852X.2008.03.017

摘要

为了研究工艺对CVD金刚石膜生长的影响,本文采用电镜、激光Raman谱分析等手段研究工艺参数对CVD金刚石膜生长速率和生长质量的影响.结果显示:金刚石薄膜的生长速率随甲烷浓度(3%～10%)、基片温度(800～1200℃)的增加而增加,随工作气压的升高先是增加,而后降低,峰值在15～20 kPa处.金刚石薄膜中非金刚石碳的相对含量先随基片温度的增加逐渐降低,在1080～1100 ℃达到最小值以后又开始急剧增加,膜的质量(结晶形态好和非金刚石碳的相对含量少)在1080～1100 ℃处达到最佳.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	苗晋琦	北京科技大学材料学院	10	77	6.0	8.0
2	张鬲君	中原工学院工业训练中心	15	58	4.0	7.0
3	钟国防	北京科技大学材料学院	1	4	1.0	1.0