直流电弧等离子喷射CVD中控制生长(111)晶面占优的金刚石膜

• 作者: 佟玉梅 兰昊 周祖源 唐伟忠 宋建华 戴风伟 李彬 李成明 陈广超 黑立富
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 光发射谱 金刚石膜 直流电弧等离子喷射CVD (111)占优晶面
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 页码范围: 478-480
• 页数: 3页
• 分类号: O484
• 字数: 1748字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2006.03.010

摘要

运用光发射谱(OES)技术对大功率直流电弧等离子喷射CVD金刚石膜的气相沉积环境进行了原位诊断,研究了气相环境中主要含碳基团的浓度及分布与沉积参数的关系,发现了C2基元比其他基元对沉积参数更加敏感.利用光发射谱对C2基元发射强度的监测,实时调控沉积各参数,在大功率直流电弧等离子喷射CVD中实现了(111)晶面占优的金刚石膜的可控生长,I(111)/I(220)XRD衍射峰强度的比值达48.