低介电常数介孔氧化硅薄膜的结构与介电性能研究

• 作者: 吴兆丰 姚兰芳
• 来源期刊: 材料导报：纳米与新材料专辑
• 学科: 工学
• 关键词: 低介电常数 介孔氧化硅薄膜 MIM结构
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 页码范围: 332-334
• 页数: 3页
• 分类号: TB43

摘要

利用溶胶-凝胶技术制备了介孔氧化硅薄膜。采用MIM结构，通过平行板电容器法测量了介孔氧化硅薄膜的介电常数，结果表明采用表面修饰的方法可以在保持较低介电常数（k=2．25）的前提下极大地降低薄膜的漏电流，提高薄膜的环境稳定性能。通过对富氏红外光谱的分析，讨论了薄膜的键结构与介电性能之间的关系，结果表明去除介孔氧化硅薄膜中的OH基团是提高薄膜介电性能的关键。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姚兰芳	上海理工大学物理系	38	259	11.0	14.0
2	吴兆丰	盐城工学院基础部	13	31	2.0	5.0