[100]取向Al-Ti共掺杂ZnO薄膜的制备与光电性能研究

• 作者: 刘心宇 江民红
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO薄膜 Ti-Al共掺杂 [100]取向 光电性能
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1101-1105
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 2779字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2008.06.003

摘要

采用常压固相烧结法制备了Al-Ti共掺ZnO靶材,采用射频磁控溅射技术及真空退火工艺,在普通玻璃衬底上制备了具有[100]取向Al-Ti共掺杂ZnO薄膜(ZATO).采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对ZATO薄膜的生长机理、显微结构、形貌进行了测试分析,用四探针测试仪、紫外-可见分光光度计及荧光光谱仪对ZATO薄膜的光电性能进行了测试分析.结果表明, ZATO薄膜经500℃保温3h退火后,择优取向由(002)向(100)方向转变;此时,衍射谱上还观察到超点阵衍射线条. [100]取向ZATO薄膜的光学带隙从退火前的3.29降至2.86,平均可见光透过率从90%降至70%,表现为一般的透过性;而电阻率则从1.89×10-2Ω·cm降至1.25×10-3Ω·cm,呈现较好的导电性.薄膜中均出现了380nm附近的带边发射(NBE)峰以及410、564nm的深能级发射峰,且经500℃保温3h退火后,这些峰的位置并未改变,但峰强均明显减弱.对上述实验机理进行了分析讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘心宇	桂林电子科技大学信息材料科学与工程系	224	1450	18.0	23.0
5	江民红	桂林电子科技大学信息材料科学与工程系	50	214	8.0	11.0