(Al,Zr)共掺杂ZnO透明导电薄膜的结构以及光电性能研究

• 作者: 吴中亮 康勃 林炜 薛建设 马瑞新
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 物理学
• 关键词: 氧化锌 透明导电薄膜 电阻率 透光率 射频磁控溅射
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 560-564
• 页数: 5页
• 分类号: O484.4
• 字数: 2550字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2007.05.012

摘要

用射频磁控溅射法在玻璃衬底上氩气气氛中制备出(Al, Zr)共掺杂的ZnO透明导电薄膜,研究了不同Zr掺杂浓度和薄膜厚度ZnO薄膜的结构、电学和光学特性.结果表明,在最佳沉积条件下我们制备出了具有(002)单一择优取向的多晶六角纤锌矿结构,电阻率为2.2×10-2 Ω·cm,且可见光段(320～800 nm)平均透过率达到85 %的ZnO透明导电薄膜.在150 ℃的条件下对(Al, Zr)共掺杂的ZnO薄膜进行1 h的退火处理,薄膜电阻率降低至8.4×10-3 Ω·cm.Zr杂质的掺入改善了薄膜的可见光透光性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马瑞新	北京科技大学冶金与生态工程学院	17	176	7.0	13.0
2	林炜	北京科技大学冶金与生态工程学院	5	115	4.0	5.0
3	吴中亮	北京科技大学冶金与生态工程学院	6	104	3.0	6.0
4	康勃	北京科技大学冶金与生态工程学院	6	104	3.0	6.0
5	薛建设		4	25	2.0	4.0