化合物半导体体材料和特性

• 作者: Osamu Oda 孔梅影
• 来源期刊: 国外科技新书评介
• 学科: 工学
• 关键词: 化合物半导体 半导体材料 特性 GAAS 基础材料 晶体材料 SIC 电子学
• 年，卷（期）: gwkjxspj_2008,（5）
• 页码范围: 16-17
• 页数: 2页
• 分类号: TN304.23

摘要

化合物半导体体材料是除元素半导体材料Si、Ge外的另一类重要的半导体材料。它作为基础材料，在电子学和光学方面的应用变得日益重要。在对Ⅲ—Ⅴ、Ⅱ—Ⅵ、Ⅳ—Ⅵ族、GaN和SiC等半导体材料所进行的大量研究和应用中，高质量的GaP、GaAs、S-I、GaAs和InP等化合物单晶体材料都是必不可少的。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孔梅影	中国科学院半导体研究所	22	29	3.0	5.0