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摘要:
化合物半导体体材料是除元素半导体材料Si、Ge外的另一类重要的半导体材料。它作为基础材料,在电子学和光学方面的应用变得日益重要。在对Ⅲ—Ⅴ、Ⅱ—Ⅵ、Ⅳ—Ⅵ族、GaN和SiC等半导体材料所进行的大量研究和应用中,高质量的GaP、GaAs、S-I、GaAs和InP等化合物单晶体材料都是必不可少的。
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文献信息
篇名 化合物半导体体材料和特性
来源期刊 国外科技新书评介 学科 工学
关键词 化合物半导体 半导体材料 特性 GAAS 基础材料 晶体材料 SIC 电子学
年,卷(期) gwkjxspj_2008,(5) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 16-17
页数 2页 分类号 TN304.23
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1 孔梅影 中国科学院半导体研究所 22 29 3.0 5.0
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研究主题发展历程
节点文献
化合物半导体
半导体材料
特性
GAAS
基础材料
晶体材料
SIC
电子学
研究起点
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引文网络交叉学科
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国外科技新书评介
月刊
北京市海淀区中关村北四环西路33号
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