n型GaN薄膜输运性质与发光研究

• 作者: 修向前 刘斌 张曾 张荣 施毅 江若琏 谢自力 郑有炓 韩平 顾书林
• 来源期刊: 中国科学G辑
• 关键词: n型GaN 表面形貌 霍尔效应 光致发光
• 年，卷（期）: 2008,（9）
• 页码范围: 1221-1227
• 页数: 7页
• 语种: 中文

摘要

系统研究了掺si的n型GalN的表面形貌、电学性质和光学性质.GaN薄膜采用金属有机化学气相沉积系统(MOCVD)制备,通过选择不同掺杂流量的SiH4,使n型载流子浓度变化范围为3×1016～5.4×1018cm-3.原子力显微镜研究发现随掺杂浓度的增加样品表面形貌变粗糙,表面位错坑密度增加,表明了晶体质量下降.变温霍尔效应获得载流子浓度随温度的变化曲线(n～1/T),拟合得到不同Si掺杂量下,Si杂质在GaN中的电离激活能在12～22 meV之间变化,它是施主波函数的相互作用增强所造成.通过研究迁移率随温度(μ～T)的关系曲线,认为载流子输运过程受不同温度下的散射机制影响.光致发光谱研究了室温下GaN薄膜带边发光和黄带,发现带边发光峰的移动是伯斯坦-莫斯效应和能带重整化效应共同作用的结果,并拟合得到了能带收缩效应系数-1.07x10-8 ev/cm,指出黄带的产生和变化与不同Si掺杂浓度下Ga空位的浓度相关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘斌		39	97	6.0	8.0
2	施毅		103	490	13.0	17.0
3	郑有炓		78	353	11.0	15.0
4	顾书林		46	261	9.0	14.0
5	张荣		134	576	13.0	17.0
6	修向前		28	97	5.0	9.0
7	江若琏		11	57	5.0	7.0
8	韩平		22	92	6.0	9.0
9	谢自力		19	44	5.0	6.0
10	张曾		2	0	0.0	0.0