一种高阶温度补偿的CMOS带隙参考源

• 作者: 倪学文 莫邦燹 陈江华
• 来源期刊: 北京大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 模拟集成电路 CMOS 带隙参考源 低温度系数 高阶温度补偿
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 517-521
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0479-8023.2008.04.004

摘要

介绍了一种基于CSMC 0.5-μm 2P3M n-阱混合信号CMOS工艺的高阶温度补偿的带隙参考源.该CMOS带隙参考源利用了Buck电压转换单元和与温度无关的电流,提供了一种对基极-发射极电压VBE的高阶温度补偿.它还采用共源共栅结构以提高电源抑制比.在5 V电源电压下,温度变化范围为-20～100℃时,该带隙参考源的温度系数为5.6 ppm/℃.当电源电压变化范围为4～6 V时,带隙参考源输出电压的变化为0.4 mV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	莫邦燹	北京大学信息科学技术学院微电子学系	19	111	6.0	10.0
2	倪学文	北京大学信息科学技术学院微电子学系	15	60	5.0	7.0
3	陈江华	北京大学信息科学技术学院微电子学系	3	14	2.0	3.0