磁控溅射和氨化法生长GaN纳米棒及其特性

• 作者: 庄惠照 李红 杨兆柱 王邹平 秦丽霞 薛成山 陈金华
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 溅射 纳米棒 单晶 催化荆
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 纳米材料与结构
• 页码范围: 83-86
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.23|TB383|TH304.055
• 字数: 2183字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2008.02.005

摘要

使用一种新奇的稀土元素铽(Tb)作催化剂,通过氨化磁控溅射在Si(111)衬底上的Ga2O3/Tb薄膜,合成了大量的GaN纳米棒,氨化温度为950℃.氨化时间为15min.该方法可以进行持续合成且制备的GaN纳米棒纯度较高、成本低廉.实验后分别用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和X射线光电子能谱(XPS)对样品进行了结构、表面形态和成分测试.通过XRD和XPS测试分析,合成的纳米棒具有六方纤锌矿GaN结构;通过SEM、TEM和HRTEM观察分析得出合成的纳米棒为单晶GaN纳米棒.简单讨论了GaN纳米棒的生长机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	庄惠照	山东师范大学半导体研究所	72	276	9.0	11.0
2	薛成山	山东师范大学半导体研究所	117	476	11.0	13.0
3	陈金华	山东师范大学半导体研究所	11	19	2.0	3.0
4	秦丽霞	山东师范大学半导体研究所	10	19	2.0	3.0
5	李红	山东师范大学半导体研究所	29	57	4.0	5.0
6	杨兆柱	山东师范大学半导体研究所	12	23	2.0	3.0
7	王邹平	山东师范大学半导体研究所	7	22	4.0	4.0