Si基GaN薄膜的制备方法及结构表征

• 作者: 卓博世 崔传文 张敬尧 张月甫 李玉国
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaN薄膜 Si基 溅射 化学气相沉积 电泳沉积
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 显微、测量、微细加工技术与设备
• 页码范围: 240-244
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.055|TN304.23
• 字数: 2798字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2008.04.011

摘要

分别采用射频磁控溅射、热壁化学气相沉积(CVD)、电泳沉积法制备GaN薄膜.利用扫描电镜(SEM)、荧光光谱仪对样品进行结构、形貌和发光特性的分析比较.射频磁控溅射方法中,把SiC中间层沉淀到Si衬底上,目的是为了缓冲由GaN外延层和Si衬底的晶格失配造成的应力.结果证实了SiC中间层提高了GaN薄膜的质量.热壁化学气相沉积法制备GaN晶体膜时,选择H2作反应气体兼载体,有利于GaN膜的形成.电泳沉积法显示所得样品为六方纤锌矿结构的GaN多晶薄膜.结果表明:溅射法制备的CaN薄膜结晶效果好;CVD法制备时GaN薄膜应用范围广;电泳沉积法操作方便、简单易行.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李玉国	山东师范大学物理与电子科学学院	44	186	7.0	11.0
2	张月甫	山东师范大学物理与电子科学学院	5	29	3.0	5.0
3	张敬尧	山东师范大学物理与电子科学学院	5	29	3.0	5.0
4	崔传文	山东师范大学物理与电子科学学院	5	29	3.0	5.0
5	卓博世	山东师范大学物理与电子科学学院	3	3	1.0	1.0