单晶硅反应激波刻蚀试验研究

• 作者: 刘正埙 张丽宏 汪炜 温军战
• 来源期刊: 电加工与模具
• 学科: 工学
• 关键词: 反应激波刻蚀 脉冲超声波 硅 湿法腐蚀 蚀除率
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 设计·研究
• 页码范围: 40-43
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 2426字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-279X.2008.02.011

摘要

提出基于脉冲超声波聚焦的反应激波刻蚀加工方法,采用大功率压电陶瓷激波发生器,在液体介质中产生聚焦脉冲超声波(频率1 MHz),由于传输过程中形成的非线性效应形成高能、瞬时压力激波,结合化学腐蚀方法,利用物理和声化学作用,使位于聚焦区域的材料迅速蚀除.采用激波、超声波和磁力搅拌3种不同方式对单晶硅进行刻蚀试验,结果表明反应激波刻蚀速率最快.在此基础上,进一步分析研究了腐蚀剂浓度、反应温度及激波功率等不同工艺参数对刻蚀速率的影响,并对反应激波刻蚀硅加工基本规律进行了探讨,为后续研究提拱了理论和试验基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘正埙	南京航空航天大学机电工程学院	59	1065	19.0	30.0
2	汪炜	南京航空航天大学机电工程学院	96	639	12.0	20.0
3	张丽宏	南京航空航天大学机电工程学院	4	9	2.0	3.0
4	温军战	南京航空航天大学机电工程学院	1	1	1.0	1.0