高压VDMOSFET击穿电压优化设计

• 作者: 严向阳 唐晓琦 淮永进
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 纵向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管 击穿电压 结终端扩展 终端结构 外延层厚度和掺杂浓度
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 纳米器件与技术
• 页码范围: 577-579,585
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1|TN323.4
• 字数: 2296字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2008.10.004

摘要

通过理论计算,优化了外延层厚度和掺杂浓度,对影响击穿电压的相关结构参数进行设计,探讨了VDMOSFET的终端结构.讨论了场限环和结终端扩展技术,提出了终端多区设计思路,提高了新型结构VDMOSFET的漏源击穿电压.设计了800 V、6 A功率VDMOSFET,同场限环技术相比,优化的结终端扩展技术,节省芯片面积10.6%,而不增加工艺流程,漏源击穿电压高达882 V,提高了3%,由于芯片面积的缩小,平均芯片中测合格率提高5%,达到了预期目的,具有很好的经济价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	淮永进		3	14	2.0	3.0
2	严向阳		2	9	1.0	2.0
3	唐晓琦		2	13	2.0	2.0