碘化汞(α-HgI2)晶体生长及其性能表征

• 作者: WANG Ling-hang XU Gang 介万奇
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 碘化汞晶体 形貌转变 XRD 近红外透过率 I-V特性
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 页码范围: 795-799
• 页数: 5页
• 分类号: O78
• 字数: 2630字
• 语种: 中文

摘要

利用垂直两温区透明油浴炉,采用升华法成功生长了α-HgI2单晶体.通过对比不同生长阶段晶体生长界面,观察到HgI2晶体在气相生长中存在界面形貌转变.晶体生长初期的生长面呈棱面,然后逐渐转变为圆滑界面.利用XRD、透射光谱以及I-V测试对所生长晶体的性能进行了表征.XRD结果表明所生长的晶体为单相的α-HgI2晶体,晶体的生长方向为[001].紫外-可见-近红外透过光谱分析发现,HgI2晶体的截至波长为580 nm,对应的禁带宽度为2.12 eV,近红外区内透过率约为45%.由于空穴的俘获及陷阱能级作用,在2307.5 nm和1731.4 nm处产生了两个明显的吸收峰.所生长的α-HgI2晶体电阻率约为1011Ω·cm,满足制作核辐射探测器的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	介万奇	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	272	1636	19.0	27.0
2	XU Gang	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	1	8	1.0	1.0
3	WANG Ling-hang	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	1	8	1.0	1.0