集成电路钝化层薄膜的纳米力学性质研究

• 作者: JIANG Bin SHEN Weidian 吴子景 吴晓京 蒋宾
• 来源期刊: 西安交通大学学报
• 关键词: 薄膜 等离子体增强化学气相淀积 二氧化硅 氮化硅 纳米硬度 弹性模量
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 所属期刊栏目: 专题研究
• 页码范围: 1345-1349
• 页数: 5页
• 分类号: TB3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-987X.2008.11.007

摘要

利用等离子体增强化学气相淀积工艺在p型单晶硅(111)衬底上制备了厚度为70、150、450nm的SiO2薄膜和100、170、220 nm的Si3N4薄膜,并使用纳米压入仪对薄膜进行了纳米力学测试与分析.薄膜在不同载荷下的硬度和弹性模量计算采用Oliver-Pharr方法.在测量两种薄膜的硬度时没有发现压痕尺寸效应.SiO2薄膜的弹性模量与压入深度的依赖关系不明显,但与薄膜厚度的依赖关系较明显,薄膜厚度的增加将导致弹性模量显著减小,而Si3N4的弹性模量与薄膜厚度的依赖关系不明显,但与压入深度的依赖关系较明显,会随着压入深度的增加而逐渐增加到某一定值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴晓京	复旦大学材料科学系	22	241	5.0	15.0
2	吴子景	复旦大学材料科学系	6	46	3.0	6.0
3	蒋宾		4	45	3.0	4.0
4	JIANG Bin	复旦大学材料科学系	1	3	1.0	1.0