铁电栅材料GaN基场效应晶体管的特性

• 作者: 冉金枝 杨建红 蔡雪原 魏莹
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaN基FET 自发极化 铁电材料 载流子浓度 转移特性 跨导
• 年，卷（期）: 2008,（12）
• 所属期刊栏目: 纳米器件与技术
• 页码范围: 694-697
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.23|TN386|TN304.9|O471.3|TM221
• 字数: 2010字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2008.12.003

摘要

针对铁电薄膜/GaN基FET结构,利用数值方法研究了铁电栅材料自发极化强度Ps变化对GaN基表面电子浓度ns和场效应晶体管转移特性Ja-Vg的影响,给出了典型Ps和εr值下跨导gm与Vg的关系.结果表明:零栅压下,ns在随Ps(0～±59 μC/cm2)变化时有4～6个数量级的提高或降低;当Vg=0.65 V、Ps为-26～26 μC/cm2时,ns提高约4个数量级;负栅压下,ns因受引起电子耗尽的Ps的影响而降低6～7个数量级,而Ps未对Id-Vg产生明显影响,跨导gm在1V左右的栅偏压下达到最大值.这些结果对利用铁电极化和退极化可能改善新型器件性能的研究具有重要意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨建红	兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所	44	143	6.0	9.0
2	蔡雪原	兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所	6	24	1.0	4.0
3	冉金枝	兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所	1	0	0.0	0.0
4	魏莹	兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所	3	4	1.0	2.0