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采用SACVD改善器件电学性能
采用SACVD改善器件电学性能
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摘要：
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采用碳纳米管改善GaN HEMT器件结构散热
GaN HEMT
碳纳米管
倒装
散热
锗硅外延工艺优化对28nm PMOS器件性能的改善
锗硅外延
薄膜堆叠层
器件性能
PMOS器件
新型NBL改善LDMOS器件的ESD性能
互补型金属氧化物晶体管
埋藏层
静电放电
横向扩散
电致发光器件中杂质态的引入对器件性能的影响
掺杂
掺杂浓度
电导率
发光效率
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期刊影响力
集成电路应用
主办单位：
上海贝岭股份有限公司
出版周期：
月刊
ISSN：
1674-2583
CN：
31-1325/TN
开本：
16开
出版地：
上海宜山路810号
邮发代号：
创刊时间：
1984
语种：
chi
出版文献量（篇）
4823
总下载数（次）
15
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