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摘要:
在硅衬底上制备了基于ZnO多晶薄膜的金属-绝缘层-半导体(MIS)器件,该MIS器件在室温下被施以不断增大的正向偏压时,来自于ZnO薄膜的紫外发光从自发辐射转变为受激辐射,并产生随机激光.
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结构和光电性能
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 室温电抽运硅基ZnO薄膜的随机激光
来源期刊 激光与光电子学进展 学科 物理学
关键词 硅基 ZnO薄膜 电抽运 随机激光
年,卷(期) 2008,(2) 所属期刊栏目 2007中国光学
研究方向 页码范围 7
页数 1页 分类号 O4
字数 457字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杨德仁 浙江大学硅材料国家重点实验室 180 1513 20.0 31.0
2 马向阳 浙江大学硅材料国家重点实验室 60 404 10.0 17.0
3 李东升 浙江大学硅材料国家重点实验室 36 130 6.0 10.0
4 陈培良 浙江大学硅材料国家重点实验室 2 3 1.0 1.0
5 章圆圆 浙江大学硅材料国家重点实验室 1 3 1.0 1.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
硅基
ZnO薄膜
电抽运
随机激光
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
激光与光电子学进展
半月刊
1006-4125
31-1690/TN
大16开
上海市嘉定区清河路390号(上海市800-211信箱)
4-179
1964
chi
出版文献量(篇)
9127
总下载数(次)
28
总被引数(次)
35767
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