蓝宝石衬底表面SiO2薄膜的应力分析

• 作者: 冯丽萍 刘正堂
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 工学
• 关键词: 蓝宝石 二氧化硅薄膜 内应力 磁控反应溅射
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 206-209
• 页数: 4页
• 分类号: TN213
• 字数: 3171字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0454-5648.2008.02.015

摘要

采用射频磁控反应溅射法分别在Si和蓝宝石衬底上沉积SiO2薄膜.通过改变沉积薄膜的工艺参数,考察反应气体流量比、沉积温度、射频功率等因素对SiO2薄膜内应力的影响.采用压痕裂纹法分析了镀膜前后蓝宝石的表面应力.结果表明:制备SiO2薄膜时,工艺参数影响SiO2薄膜的成分,当O2/Ar流量比值为1.25,衬底温度为300℃,射频功率为100 W时,可以制备出化学计量比的SiO2薄膜,此时薄膜中的内应力较小;制备的SiO2薄膜呈压应力状态,镀SiO2薄膜可以改变蓝宝石的表面应力,蓝宝石的表面应力已由原来的拉应力变为压应力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘正堂	西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室	120	749	14.0	21.0
2	冯丽萍	西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室	45	159	7.0	9.0