新型高电源抑制比CMOS电流基准

• 作者: 何乐年 崔传荣 巩文超 王义凯 王忆
• 来源期刊: 浙江大学学报（工学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 电流基准 电源抑制比 温度补偿
• 年，卷（期）: 2008,（9）
• 所属期刊栏目: 电气工程
• 页码范围: 1580-1586,1605
• 页数: 8页
• 分类号: TN432
• 字数: 5335字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3785/j.issn.1008-973X.2008.09.021

摘要

为提高CMOS集成电路中电流基准的精度和稳定性,提出了一种结构简单,电源抑制比(PSRR)很高的电流基准结构--三支路电流基准.应用基尔霍夫定律(Kirchhoff's current and voltage law,Kcl Kvl)和偏微分方程,对比分析了传统的电流基准、共源共栅电流基准以及三支路电流基准的小信号模型,求解出了这3种电路的电源抑制比公式.对比发现传统电流基准和共源共栅电流基准的节点电压正反馈限制了电流基准的性能,三支路结构由于节点电压成强负反馈,拥有更高的PSRR.三支路电流基准采用了一阶温度补偿方案,保证了温度稳定性.经CSMC 0.5μm工艺仿真结果显示,三支路基准在输入电压1.5～5.0 V的低频PSRR达-77.9 dB,明显优于另外两种结构;在-20～120℃温度区间内输出电流稳定性达到了255×10-6/℃,满足了大多数应用的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何乐年	浙江大学超大规模集成电路研究所	88	869	16.0	26.0
2	巩文超	浙江大学超大规模集成电路研究所	6	61	4.0	6.0
3	王忆	浙江大学超大规模集成电路研究所	8	82	4.0	8.0
4	崔传荣	浙江大学超大规模集成电路研究所	3	14	2.0	3.0
5	王义凯	浙江大学超大规模集成电路研究所	3	45	3.0	3.0