一种高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源

• 作者: 周前能 李红娟 段晓忠
• 来源期刊: 哈尔滨商业大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 带隙基准 电源抑制比 前调整器
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 所属期刊栏目: 计算机与信息工程
• 页码范围: 443-447,465
• 页数: 6页
• 分类号: TP301
• 字数: 1555字
• 语种: 中文

摘要

设计了一种采用前调整器的高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源.基于CSMC 0.5 μm标准CMOS工艺,分别对有前调整器与没有前调整器的CMOS带隙基准电压源进行了设计与仿真验证.仿真结果显示,采用前调整器的带隙基准在100 Hz、1 kHz、100 kHz处分别获得了-117.3 dB、-106.2 dB、-66.2 dB的高电源抑制比,而没有采用前调整器的CMOS带隙基准在100 Hz、1 kHz、100 kHz处仅分别获得了-81.8、-80.1、-44.9 dB的电源抑制比;在-15 ～90℃范围内,采用前调整器的带隙基准的温度系数为6.39 ppm/℃;当电源电压在2.2 ～8 V变化时,采用调整器的带隙基准的输出电压变化仅9.73μV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周前能	重庆邮电大学光电工程学院	58	176	5.0	11.0
3	李红娟	重庆邮电大学计算机科学与技术学院	23	44	3.0	5.0
6	段晓忠	重庆邮电大学光电工程学院	2	2	1.0	1.0