热处理对TaN薄膜微结构及电性能的影响

• 作者: 向阳 张万里 王超杰 莫绍毅 蒋洪川 雷云
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: TaN薄膜 退火 微结构 方阻
• 年，卷（期）: 2008,（z3）
• 所属期刊栏目: 光、电、磁功能材料
• 页码范围: 266-268
• 页数: 3页
• 分类号: TG154.2
• 字数: 1768字
• 语种: 中文

摘要

采用直流磁控溅射制备TaN薄膜,研究了热处理对TaN薄膜微结构及电性能的影响.结果表明,退火温度及退火时间都将影响薄膜的微结构及方阻.随退火温度的升高和时间的延长,TaN薄膜的方阻逐渐增大,但当退火温度高于800℃时,由于氧化严重导致薄膜的方阻异常增大.退火可显著改善薄膜的TCR,制备态TaN薄膜的TCR值为-1.2X10-3,薄膜经800℃退火30min后,其TCR可降低到-7.0x10-4.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋洪川	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	74	586	12.0	19.0
2	张万里	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	142	705	13.0	17.0
3	王超杰	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	6	28	3.0	5.0
4	向阳	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	5	21	3.0	4.0
5	莫绍毅	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	3	1.0	1.0
6	雷云	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	3	1.0	1.0