热处理对TaN薄膜电性能的影响

• 作者: 刘飞飞 司旭 唐云 张万里 蒋洪川
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: TaN薄膜 热处理 方阻 电阻温度系数
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 页码范围: 47-49
• 分类号: TM241
• 字数: 2054字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2011.02.014

摘要

采用直流磁控溅射法在Al2O3陶瓷基片上制备了TaN薄膜,研究了热处理温度和时间对TaN薄膜的方阻(R□)及电阻温度系数(TCR)的影响.研究发现,在热处理时间为2 h的条件下,热处理温度在200℃到600℃变化时,R□从12 Ω/□增加到24 Ω/□,TCR从15×10-6/℃下降到-80×10-6/℃;在热处理温度为300℃的条件下,热处理时间对R□及TCR影响较小,随着热处理时闻的增长,R□及TCR略有变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋洪川	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	74	586	12.0	19.0
2	张万里	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	142	705	13.0	17.0
3	司旭	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	4	24	3.0	4.0
4	刘飞飞	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	1	1.0	1.0
5	唐云	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	1	1.0	1.0