厚度对TaN薄膜电性能的影响研究

• 作者: 张雪峰 李会容
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: TaN薄膜 直流反应磁控溅射 厚度 TCR 电阻率 方阻
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 20-22
• 页数: 3页
• 分类号: TB43|TN6
• 字数: 2356字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2013.05.006

摘要

采用直流反应磁控溅射法制备了TaN薄膜,研究了薄膜厚度对TaN薄膜微观结构及电性能的影响.结果表明,薄膜厚度对TaN薄膜的表面形貌和相结构都没有影响,但会显著影响TaN薄膜的电学性能.在87～424 nm的范围内,随着薄膜厚度的增大,所制TaN薄膜的电阻率从555×10-6Ω·cm减小到285×10-6Ω·cm,方阻从84 Ω/□减小到9Ω/□,电阻温度系数(TCR) 从-120×10-6/℃增加到+50×10-6/℃.可以通过调节薄膜的厚度调节TaN薄膜的电阻率和TCR.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张雪峰	攀枝花学院材料工程学院	59	126	6.0	8.0
2	李会容	攀枝花学院电气信息工程学院	26	70	4.0	7.0