与温度、电压及工艺涨落无关的CMOS电流基准

• 作者: 严晓浪 何乐年 巩文超 王义凯 王忆
• 来源期刊: 浙江大学学报（工学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 全CMOS 电流基准 体效应 工艺涨落
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 所属期刊栏目: 自动化技术、计算机技术
• 页码范围: 1878-1884
• 页数: 7页
• 分类号: TN401
• 字数: 5307字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3785/j.issn.1008-973X.2008.11.006

摘要

利用工作在亚阈值区的MOS管代替传统电流基准中的三极管或电阻器件,实现了一款全CMOS器件的电流基准.利用PMOS管的体效应实现进一步的温度补偿;利用共源共栅和反馈结构有效地增加了基准电流源德电源抑制比;并利用当工艺发生偏差时CMOS管阈值电压、电子(空穴)迁移率和亚阈值区MOS管漏源电流之间的关系,降低了工艺涨落对基准电流的影响.本设计采用Cadence公司的Spectre软件以及CSMC公司的0.5 靘 CMOS混合信号模型进行仿真设计,设计的基准电流中心值为1.62 霢.综合考虑温度、电压和工艺涨落对电流基准的影响,温度系数为1.58×10-4%/℃,电源抑制比为90.5 dB,工艺涨落仅造成基准电流±3.5%的变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	严晓浪	浙江大学超大规模集成电路设计研究所	246	1634	19.0	29.0
2	何乐年	浙江大学超大规模集成电路设计研究所	88	869	16.0	26.0
3	巩文超	浙江大学超大规模集成电路设计研究所	6	61	4.0	6.0
4	王忆	浙江大学超大规模集成电路设计研究所	8	82	4.0	8.0
5	王义凯	浙江大学超大规模集成电路设计研究所	3	45	3.0	3.0