CIGS薄膜(InGa)2Se3-富Cu-富In(Ga)的演变

• 作者: 孙云 张力 徐传明 杨保和 王伟 薛玉明
• 来源期刊: 光电子·激光
• 学科: 工学
• 关键词: CIGS OVC(ODC) (In,Ga)2Se3预制层 富Cu 富In(Ga) 三步共蒸发
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 材料
• 页码范围: 348-351
• 页数: 4页
• 分类号: TB333
• 字数: 3674字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-0086.2008.03.017

摘要

采用三步共蒸发工艺顺序沉积铜铟镓硒(CuInGaSe2,CIGS)薄膜.薄膜的厚度、组份、晶相结构分别由台阶仪、X射线荧光光谱仪(XRF)和X射线衍射仪(XRD)来表征.在(In,Ga)2Se3预制层-富Cu相的演变过程中,依次发生以下相变:Cu(In,Ga)5Se8、Cu(In,Ga)3Se5、Cu2(In,Ga)4Se7(或Cu(In,Ga)2Se3.5)、Cu(In,Ga)Se2(液相CuxSe).在富Cu相-富In(Ga)相的演变过程中,依次发生以下相变:Cu(In,Ga)Se2(液相CuxSe)、Cu2(In,Ga)4Se7(或Cu(In,Ga)2Se3.5)、Cu(In,Ga)3Se5、Cu(In,Ga)5Se8.对这两个演变过程中薄膜的生长机理和结构特性进行了讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨保和	天津理工大学天津市薄膜电子与通信器件重点实验室	32	177	8.0	11.0
2	孙云	南开大学信息学院	33	390	11.0	19.0
3	张力	南开大学信息学院	13	87	6.0	9.0
4	薛玉明	天津理工大学天津市薄膜电子与通信器件重点实验室	7	51	4.0	7.0
5	徐传明		1	10	1.0	1.0