LSMO缓冲层对PTZT铁电薄膜性能的影响

• 作者: 于军 彭刚 李建军 杨卫明
• 来源期刊: 华中科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 电子材料 铁电薄膜 射频磁控溅射 铁电性能
• 年，卷（期）: 2008,（8）
• 所属期刊栏目: 电子与信息技术
• 页码范围: 56-58
• 页数: 3页
• 分类号: TN304
• 字数: 1352字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1671-4512.2008.08.016

摘要

采用射频磁控溅射法在Pt/TiOx/SiO2/Si基片上制备了以La2/3,Sr1/3 MnO3(LSMO)为缓冲层的Pb1.2(Ta0.01Zr0.3Ti0.69)O3(PTZT)薄膜,研究了LSMO层及沉积温度对PTZT薄膜性能的影响.XRD分析表明直接在基片上和在300℃沉积的LSMO缓冲层上生长的PTZT薄膜均为随机取向,而在600℃沉积的LSMO缓冲层上生长的PTZT薄膜为(111)择优取向.铁电特性分析表明LSMO缓冲层明显改善了PTZT薄膜的性能:在600℃沉积的LSMO缓冲层上制备的PTZT薄膜电容在5V电压(电场约125kV/cm)下具有饱和电滞回线,剩余极化Pr、矫顽场Ec 分别为50.5μC/cm2和55kV/cm;其疲劳特性也得到了显著改善.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于军	华中科技大学电子科学与技术系	103	537	11.0	16.0
2	李建军	华中科技大学电子科学与技术系	235	1646	18.0	27.0
3	彭刚	华中科技大学电子科学与技术系	79	781	15.0	25.0
4	杨卫明	华中科技大学电子科学与技术系	6	38	3.0	6.0