热处理对TaN薄膜微结构及电性能的影响

• 作者: 向阳 张万里 王超杰 莫绍毅 蒋洪川 雷云
• 来源期刊: 材料导报：纳米与新材料专辑
• 学科: 工学
• 关键词: TaN薄膜 退火 微结构 方阻
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 页码范围: 266-268
• 页数: 3页
• 分类号: TG154.2

摘要

采用直流磁控溅射制备TaN薄膜，研究了热处理对TaN薄膜微结构及电性能的影响。结果表明，退火温度及退火时间都将影响薄膜的微结构及方阻。随退火温度的升高和时间的延长，TaN薄膜的方阻逐渐增大，但当退火温度高于800℃时，由于氧化严重导致薄膜的方阻异常增大。退火可显著改善薄膜的TCR，制备态TaN薄膜的TCR值为-1．2×10^-3，薄膜经800℃退火30min后，其TCR可降低到-7．0×10^-4。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋洪川	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	74	586	12.0	19.0
2	张万里	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	142	705	13.0	17.0
3	王超杰	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	6	28	3.0	5.0
4	向阳	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	5	21	3.0	4.0
5	莫绍毅	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	3	1.0	1.0
6	雷云	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	3	1.0	1.0