感应耦合等离子体增强射频磁控溅射沉积ZrN薄膜及其性能研究

• 作者: 任兆杏 刘峰 孟月东 舒兴胜
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 感应耦合等离子体 磁控溅射 ZrN 微结构
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 流体、等离子体和放电
• 页码范围: 1796-1801
• 页数: 6页
• 分类号: O53
• 字数: 3616字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.03.082

摘要

利用感应耦合等离子体(ICP)增强射频磁控溅射技术在Si(111)片和M2钢表面制备了ZrN薄膜,研究了基片的温度和ICP功率对ZrN薄膜的结构以及性能影响.研究发现:在基片温度≤300℃沉积的ZrN薄膜择优取向为(111);基片温度达到450℃时薄膜出现zrN(200)衍射峰,zrN(111)晶面的织构系数明显降低.传统磁控溅射沉积薄膜为柱状结构,当ICP为200 W,基片温度为300℃时沉积薄膜中柱状晶体消失;随着基片温度的升高,N/Zr元素比例降低,并且薄膜的电阻率下降;相对于传统溅射,ICP增强射频磁控溅射沉积薄膜的结构更加致密,硬度提高,应力降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘峰	中国科学院等离子体物理研究所	187	2005	23.0	40.0
2	孟月东	中国科学院等离子体物理研究所	40	478	9.0	21.0
3	舒兴胜	中国科学院等离子体物理研究所	21	149	7.0	11.0
4	任兆杏	中国科学院等离子体物理研究所	20	209	9.0	14.0