屏蔽材料封装CMOS器件的电子辐照损伤

• 作者: 任迪远 孙静 张军 文林 王改丽 郑玉展 郭旗
• 来源期刊: 核电子学与探测技术
• 学科: 工学
• 关键词: 抗辐射屏蔽材料 CMOS 电子辐照 静态功耗电流
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 页码范围: 398-401
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 2835字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-0934.2009.02.041

摘要

为了解决在评估抗辐射屏蔽封装材料的屏蔽效果时,应该以什么参数作为评判依据的问题,对屏蔽材料封装CMOS器件做了一些研究.通过比较有、无屏蔽材料封装CMOS器件在电子辐照下电参数的变化,分析了采用抗辐射屏蔽材料封装的CMOS器件受电子辐照的损伤机理.通过分析,指出了当前屏蔽材料封装存在的不足,以及在采用CMOS器件考察抗辐射屏蔽封装材料时应该重点考虑静态功耗电流.