一种高精度带隙基准的分析与设计

• 作者: 孙嘉兴 杨晓瑗 染洁 梅当民 裴东伟
• 来源期刊: 辽宁大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS 带隙基准 温度系数
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 页码范围: 228-231
• 页数: 4页
• 分类号: TN303
• 字数: 2319字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5846.2009.03.010

摘要

介绍了带隙基准电压源的原理,实现了一种高精度的带隙基准电压源电路.基于CSMC0.6 um用cadence的spectre工具仿真,温度从-40 ℃到125 ℃变化时,温度系数为1.947 ppm/℃,电源电压在3 V～6 V变化时,电源抑制比为97.68 db.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙嘉兴	辽宁大学物理学院	17	52	5.0	6.0
2	梅当民	辽宁大学物理学院	2	2	1.0	1.0
3	裴东伟	辽宁大学物理学院	1	1	1.0	1.0