两段成长法改善微波电浆辅助化学气相沉积多晶金刚石之品质

• 作者: 叶忠信 张永平 李世鸿 汪岛军 黄柏仁
• 来源期刊: 新型炭材料
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶金刚石薄膜 微波电浆辅助化学气相沉积(MPECVD) 两段成长 偏压增强成核(BEN)
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 223-229
• 页数: 7页
• 分类号: TB383|TQ127.1+1
• 字数: 793字
• 语种: 中文
• DOI: 10.1016/S1872-5805(08)60049-9

摘要

以化学气相沉积法成长多晶金刚石薄膜时,薄膜的品质会受到成长时间、成长压力、反应气体比例、偏压与否及成核的机制等因素影响.研究采用微波电浆辅助化学气相沉积(MPECVD)法,以甲烷(CH4)和氢气(H2)作为反应气体原料,在P型(111)硅基板沉积多晶金刚石薄膜.典型沉积多晶金刚石薄膜的制程可分为四个阶段:抛蚀表面阶段、渗碳阶段、偏压增强成核(BEN)阶段及成长阶段.研究将成长阶段划分为两个阶段,第一阶段压力较低(成长Ⅰ阶段),第二阶段压力较高(成长Ⅱ阶段).结果表明:第一阶段可大大改善金刚石薄膜的品质,所获多晶金刚石薄膜的晶粒具有明确的颗粒边界、较低的碳化物或缺陷,电导率急剧降低,显现出本徵金刚石半绝缘的性质.可以认为金刚石薄膜品质的改善完全为低压成长所致.实验发现在成长Ⅰ阶段或成长Ⅱ阶段施加偏压时,只会降低多晶金刚石薄膜的品质.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李世鸿	大叶大学电机工程学系	5	17	3.0	4.0
2	张永平	大叶大学电机工程学系	4	14	3.0	3.0
3	叶忠信	建国科技大学电子工程系	3	10	2.0	3.0
7	汪岛军	国立云林科技大学工程科技研究所	3	10	2.0	3.0
8	黄柏仁	国立台湾科技大学电子工程系暨光电工程研究所	3	10	2.0	3.0