高温层的横向生长对异质外延GaN结构性质的影响

• 作者: 张进城 李培成 郝跃 高志远
• 来源期刊: 中国科学E辑
• 关键词: GaN 横向生长 位错 Ⅴ/Ⅲ
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 124-128
• 页数: 5页
• 语种: 中文

摘要

通过改变MOCVD生长GaN反应的Ⅴ/Ⅲ来改变横/纵向生长速度比,以此来研究两步法中高温GaN层的横向生长对材料结构性质的影响.透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射(XRD)实验的研究表明,高温GaN层的横向生长速度越快,位错的传播方向更易于偏离c轴,弯向晶粒内部,且弯曲的位置越靠近缓冲层,但位错密度并不随横向生长的加速而单调变化.提出了一个关于GaN生长动力学过程和位错弯曲机制的模型以解释横向生长与GaN结构的对应关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃		312	1866	17.0	25.0
2	张进城		52	301	9.0	14.0
3	高志远		6	31	4.0	5.0
4	李培成		2	5	1.0	2.0