异质外延GaN中穿透位错对材料发光效率的影响

• 作者: 张进城 李培咸 郝跃 高志远
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN 穿透位错 非辐射复合 发光效率
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 521-525
• 页数: 5页
• 分类号: O77
• 字数: 3558字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.03.022

摘要

用阴极射线致发光(CL)法、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射(XRD)法研究了异质外延GaN材料的发光性质与结构特性的关系.结果表明,GaN外延层中的穿透位错是材料有效的非辐射复合中心,但GaN的CL带边峰强度并不随位错密度的增加而减少.两步法生长GaN形成的马赛克结构的亚晶粒尺寸和晶粒间合并产生的位错的弯曲程度是影响材料发光效率的关键.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	312	1866	17.0	25.0
2	张进城	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	52	301	9.0	14.0
3	李培咸	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	36	324	10.0	17.0
4	高志远	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	6	31	4.0	5.0