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Study of Raman and PL Spectroscopy on Electron-irradiated GaN Epilayers
Study of Raman and PL Spectroscopy on Electron-irradiated GaN Epilayers
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摘要：
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Incorporation of silica into the goethite structure: a microscopic and spectroscopic study
Quartz
Goethite
Twinned goethite
Microscopic characterization (FESEM and TEM)
FT-IR spectroscopy
具有AlGaN/GaN超晶格的GaN基LED的PL分析
AlGaN/GaN超晶格
LED
GaN
PL
A combined IR and XRD study of natural well crystalline goethites(α-FeOOH)
Crystallinity
Goethite
IR-spectrometry
X-ray diffraction
XRD rietveld refinement
Characterization
GaN薄膜的微区Raman散射光谱
GaN
微区Raman散射
X-射线衍射
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
| 篇名 | Study of Raman and PL Spectroscopy on Electron-irradiated GaN Epilayers | ||
| 来源期刊 | 近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报：英文版 | 学科 | 工学 |
| 关键词 | 电子辐照 GaN 光致发光 拉曼光谱 外延层 设备制造 掺杂技术 离子注入 | ||
| 年，卷（期） | jdwlyjshlzzlzjsqsysnbywb_2009,（1） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 100-101 | |
| 页数 | 2页 | 分类号 | TN304.12 |
| 字数 | 语种 | 中文 | |
| DOI | |||
五维指标
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研究主题发展历程
节点文献
电子辐照
GaN
光致发光
拉曼光谱
外延层
设备制造
掺杂技术
离子注入
研究起点
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期刊影响力
近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报：英文版
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出版周期：
年刊
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兰州31号信箱中国科学院近代物理研究所出版发行社社址:北京市海淀区阜成路43号(100037)
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出版文献量（篇）
1640
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