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Incorporation of silica into the goethite structure: a microscopic and spectroscopic study
Quartz
Goethite
Twinned goethite
Microscopic characterization (FESEM and TEM)
FT-IR spectroscopy
具有AlGaN/GaN超晶格的GaN基LED的PL分析
AlGaN/GaN超晶格
LED
GaN
PL
A combined IR and XRD study of natural well crystalline goethites(α-FeOOH)
Crystallinity
Goethite
IR-spectrometry
X-ray diffraction
XRD rietveld refinement
Characterization
GaN薄膜的微区Raman散射光谱
GaN
微区Raman散射
X-射线衍射
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
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文献信息
篇名 Study of Raman and PL Spectroscopy on Electron-irradiated GaN Epilayers
来源期刊 近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报:英文版 学科 工学
关键词 电子辐照 GaN 光致发光 拉曼光谱 外延层 设备制造 掺杂技术 离子注入
年,卷(期) 2009,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 100-101
页数 2页 分类号 TN304.12
字数 语种 中文
DOI
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2009(0)
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研究主题发展历程
节点文献
电子辐照
GaN
光致发光
拉曼光谱
外延层
设备制造
掺杂技术
离子注入
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报:英文版
年刊
兰州31号信箱中国科学院近代物理研究所出版发行社社址:北京市海淀区阜成路43号(100037)
出版文献量(篇)
1640
总下载数(次)
0
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