多层高深宽比Si深台阶刻蚀方法

• 作者: 刘鹏 张大成 李婷 李静 田大宇 罗葵
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 三维刻蚀 反应离子刻蚀 湿法刻蚀 高深宽比 聚合物
• 年，卷（期）: 2009,（12）
• 所属期刊栏目: MEMS器件与技术专辑
• 页码范围: 755-757,763
• 页数: 4页
• 分类号: TH703|TN305.7
• 字数: 1570字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2009.12.010

摘要

通过干法刻蚀,在Si衬底上制备出高深宽比的台阶结构是MEMS加工的基础工艺之一.多层台阶的刻蚀,是一种重要的折线断面制备方法,使实现结构更加复杂的器件成为可能.利用LPCVD生长1μm厚SiO2作为钝化层,围绕多层台阶掩膜的制备方法和移除方法展开实验,以3层台阶为例,开发出一套使用一块光刻版制造任意宽度的台阶掩膜的方法.该方法节约成本、操作简便、重复性好,为加工复杂的三维结构提供了一种新的手段.另外,针对在深刻蚀过程中残留的掩膜会破坏Si台阶完整性的问题,研究了刻蚀过程中SiO2掩膜的去除方法对台阶的表面形貌造成的影响.通过实验发现,采用干湿腐蚀结合的方法可以有效地去除台阶掩膜,获得良好的Si深台阶结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李静	北京大学微电子学研究院	137	856	15.0	24.0
2	刘鹏	北京大学微电子学研究院	154	1275	17.0	33.0
3	田大宇	北京大学微电子学研究院	12	46	5.0	6.0
4	张大成	北京大学微电子学研究院	43	793	13.0	27.0
5	李婷	北京大学微电子学研究院	44	616	13.0	23.0
6	罗葵	北京大学微电子学研究院	4	12	2.0	3.0