高深宽比硅通孔检测技术研究

• 作者: 吉勇 明雪飞 燕英强 陈桂芳 陈波
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 深硅刻蚀 白光干涉 侧壁粗糙度 通孔形状 通孔深度 无损检测
• 年，卷（期）: 2014,（11）
• 页码范围: 9-12
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.94
• 字数: 2401字
• 语种: 中文

摘要

由于SEM显微镜、FIB显微镜检测高深宽比硅通孔耗时、费用高，研究了垂直扫描白光干涉技术检测硅通孔的可行性。设定刻蚀/钝化时间比率，改变深硅刻蚀功率和刻蚀时间，获得不同深度和侧壁粗糙度的硅通孔，并用垂直扫描白光干涉技术进行检测。研究结果表明垂直扫描白光干涉技术可以观察硅通孔的形状、测量侧壁粗糙度、精确无损测量硅通孔深度，可以替代SEM、FIB检测方法。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈波		31	45	3.0	6.0
2	明雪飞		8	35	3.0	5.0
3	吉勇		6	19	2.0	4.0
4	陈桂芳		2	0	0.0	0.0
5	燕英强		3	15	1.0	3.0