缺陷浓度对非晶硅薄膜太阳电池性能的影响

• 作者: 吴正军 顾晓峰
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 非晶硅 缺陷 太阳电池 PIN 光电特性
• 年，卷（期）: 2009,（12）
• 所属期刊栏目: 产品应用与市场
• 页码范围: 37-40
• 页数: 4页
• 分类号: TM914.4
• 字数: 2293字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2009.12.010

摘要

利用一维微光电子结构分析工具AMPS-lD(Analysis of Microelectronic and Photonic Struc-tures-lD)研究了一种PIN结构的非晶硅基薄膜太阳电池的电流-电压特性.通过系统分析不同缺陷浓度对太阳电池光电特性的影响,探索了在不致严重影响器件性能情况下可容许的最高缺陷浓度.模拟结果表明,若半导体膜足够薄,在带边附近有很高的吸收系数,且具有满足一定条件的迁移率,则可使用含有相当高缺陷浓度(1016 ～1017 cm -3 数量级)的非晶硅基薄膜制造出性能良好的太阳电池.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	顾晓峰	江南大学信息工程学院	115	265	9.0	11.0
2	吴正军	江南大学信息工程学院	3	6	1.0	2.0