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摘要:
IDT公司日前推出用于高端手机的灵活、低功耗、异步双端口新系列器件。作为处理器之间的桥接,新的IDT器件有利于手机设计人员最大限度降低设备复杂性.并通过增加的设计灵活性加快上市时间。此外.凭借增加的电源平面隔离功能,这些器件短著降低了总系统功耗。
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 IDT扩展用于高端手机的灵活、低功耗、异步双端口SRAM产品组合
来源期刊 电子元器件应用 学科 工学
关键词 双端口SRAM IDT公司 高端手机 低功耗 产品组合 异步 设计人员 上市时间
年,卷(期) 2009,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 85
页数 1页 分类号 TN915.05
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2009(0)
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研究主题发展历程
节点文献
双端口SRAM
IDT公司
高端手机
低功耗
产品组合
异步
设计人员
上市时间
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子元器件应用
月刊
1563-4795
大16开
西安市科技路37号海星城市广场B座240
1999
chi
出版文献量(篇)
5842
总下载数(次)
7
总被引数(次)
11366
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