Mg掺杂的Al_xGa_(1-x)N/GaN超晶格紫外峰的性质

• 作者: 于涛 张延召 张晓敏 李睿 杨子文 胡晓东 陈伟华
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 超晶格 缺陷发光 紫外峰 极化效应
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 页码范围: 792-796
• 页数: 5页
• 分类号: O472.3|O482.31
• 字数: 2683字
• 语种: 中文

摘要

观测了不同Mg含量的Al_xGa_(1-x)N/GaN超晶格(SLs)样品在不同退火温度和激发强度下的光致发光(PL)光谱.结合霍尔测量,分析了其紫外发射(UVL)峰的起源及相关影响因素.实验发现:同一样品在N_2气氛中高温退火,UVL峰强随退火温度的升高,先增至饱和继而急剧下降,峰位红移;而在相同退火条件下,随着掺杂Mg的流量增加,样品空穴浓度下降,峰强减弱,峰位红移.结果表明:UVL峰是来自于易热分解的浅施主(V_NH)与浅受主(Mg_(Ga))之间的跃迁,并受到深施主(Mg_(Ga)V_N)与浅受主(Mg_(Ga))自补偿效应的影响.实验上随着PL光谱激发强度的增强,UVL峰位约有260 meV的蓝移,结合超晶格极化场下的能带模型分析,认为这是极化效应导致的锯齿状能带中,V_NH与Mg_(Ga)之间跃迁方式的改变引起的现象.