国产半导体器件长期贮存试验研究

• 作者: 徐立生 高兆丰 高金环
• 来源期刊: 电子产品可靠性与环境试验
• 关键词: 长期贮存 可靠性 失效率 HFE变化率 可焊性 水汽含量
• 年，卷（期）: 2009,（z1）
• 页码范围: 66-69
• 页数: 4页
• 分类号: TN3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-5468.2009.z1.012

摘要

本文通过对北方实验室条件下贮存25年的国产商用高频小功率晶体管进行研究.找到三种失效模式.考虑到现代技术可消除的因素(或已焊接使用),计算预计80年代的国产商用器件储存失效率水平小于10-7/h.