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相变随机存储器存储单元结构设计
相变随机存储器存储单元结构设计
作者:
李兰
胡作启
袁成伟
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
相变存储器
存储单元结构
结构设计
热分析
有限元法
摘要:
为改善写信息脉冲电流过高而制约相变随机存储器实用化的状况,根据自下而上、边缘接触式存储单元结构的特点,建立了存储单元脉冲电流写信息的二维仿真模型,用有限无法解电、热传导微分方程模拟了存储单元的温度分布.结果证实,边缘接触式结构具有更低的写信息脉冲电流,是降低相变随机存储器写信息脉冲电流幅值的一种有效存储单元结构.
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相变存储单元RESET多值存储过程的数值仿真研究
相变随机存储器
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期刊文献
内容分析
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文献信息
篇名
相变随机存储器存储单元结构设计
来源期刊
华中科技大学学报(自然科学版)
学科
工学
关键词
相变存储器
存储单元结构
结构设计
热分析
有限元法
年,卷(期)
2009,(6)
所属期刊栏目
电子科学与技术
研究方向
页码范围
89-92
页数
4页
分类号
TP343
字数
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
胡作启
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2
李兰
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3
袁成伟
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研究主题发展历程
节点文献
相变存储器
存储单元结构
结构设计
热分析
有限元法
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
华中科技大学学报(自然科学版)
主办单位:
华中科技大学
出版周期:
月刊
ISSN:
1671-4512
CN:
42-1658/N
开本:
大16开
出版地:
武汉市珞喻路1037号
邮发代号:
38-9
创刊时间:
1973
语种:
chi
出版文献量(篇)
9146
总下载数(次)
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总被引数(次)
88536
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