相变存储单元RESET多值存储过程的数值仿真研究

• 作者: 王宇辉 胡作启 谢子健 赵旭
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 相变随机存储器 多值存储 数值仿真 有限元法
• 年，卷（期）: 2012,（10）
• 所属期刊栏目: 总论
• 页码范围: 1-5
• 分类号: TP333
• 语种: 中文

摘要

使用数值仿真方法对相变随机存储器存储单元的RESET操作的多值存储过程进行了研究，建立了三维存储单元模型，用有限元法解Laplace方程及热传导方程以模拟电脉冲作用下的存储单元物性变化过程．计算出单元内相变层的相态分布及单元整体电阻，分析了单元内部尺寸变化对多值存储过程及状态的影响．结果表明，通过精确控制输入电脉冲，相变存储单元能够实现4值存储；多值存储状态受单元内相变层厚度及下电极接触尺寸变化的影响较大；存储状态在80℃的环境温度下均可保持10年以上不失效．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵旭	华中科技大学电子科学与技术系	22	92	5.0	9.0
2	胡作启	华中科技大学电子科学与技术系	17	60	5.0	7.0
3	谢子健	华中科技大学电子科学与技术系	3	6	1.0	2.0
4	王宇辉	华中科技大学电子科学与技术系	3	6	1.0	2.0