热红外探测VO2薄膜的制备与XPS分析

• 作者: 王家鑫
• 来源期刊: 郧阳师范高等专科学校学报
• 学科: 工学
• 关键词: 磁控溅射 VO2薄膜 氩气氛退火 XPS
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 自然科学研究
• 页码范围: 47-49
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 1579字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-6072.2009.03.015

摘要

采用射频磁控溅射沉积方法,结合氩气氛退火工艺制备了热红外探测VO2薄膜,通过优化工艺,制备出化学计量比接近理论值、高质量的VO2薄膜.利用X射线光电子能谱(XPS)对薄膜的相结构、组分进行了分析.测试结果显示,V2O5薄膜在退火温度450℃、退火2h条件下,制备得到的薄膜成分主要是VO2相.