碳化硅单晶切割技术研究

• 作者: 冯玢 李宝珠
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 切割 刀片转速 切割速度
• 年，卷（期）: 2009,（12）
• 所属期刊栏目: IC制造工艺与设备
• 页码范围: 36-38,48
• 页数: 4页
• 分类号: TH305.1
• 字数: 1815字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2009.12.009

摘要

碳化硅单晶材料是第三代宽禁带半导体材料的代表,对电子产业的发展起到强有力的支撑.晶片加工技术是器件生产的重要基础和基本保证,任何具有优异特性的材料只有在成功有效的加工技术下才能发挥实际效能.本文介绍了切割工艺,通过工艺实验及对实验结果的分析,确定了切割工艺参数.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯玢	中国电子科技集团公司第四十六研究所	14	26	3.0	4.0
2	李宝珠	中国电子科技集团公司第四十六研究所	8	62	3.0	7.0