P2O5-Bi2O3掺杂对NiCuZn/PZT电磁性能的影响

• 作者: 张怀武 李涛 殷水明 贾利军 陈世钗
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: NiCuZn/PZT复合材料 复合掺杂 电磁性能 显微结构
• 年，卷（期）: 2009,（8）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 26-29
• 页数: 4页
• 分类号: TB332
• 字数: 3562字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2009.08.008

摘要

首先用sol-gel法制得Pb0.95Sr0.05(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)纳米粉料,然后用固相法制备NiCuZn/PZT铁氧体/陶瓷复合材料,研究了P2O5-Bi2O3复合掺杂对复合材料微观结构及电磁性能的影响.结果表明:当w(Bi2O3) = 2.5%时,引入适量的P2O5,不仅可使品质因数Q值提高到55,同时起始磁导率和烧结体密度分别提高到19和6.01 g/cm3,介质损耗下降到0.025.其电磁性能满足电容器和电感器件的制作要求,有望成为用于叠片式滤波器的电感、电容复合双性材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	贾利军	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	52	245	9.0	11.0
2	陈世钗	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	16	88	5.0	8.0
3	张怀武	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	294	2211	20.0	32.0
4	殷水明	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	6	39	4.0	6.0
5	李涛	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	37	296	9.0	16.0