Bi2O3掺杂对NiCuZn/PZT复合材料电磁性能的影响

• 作者: 况佳 张怀武 罗俊 贾利军 陈世钗
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 电子技术 NiCuZn/PZT铁氧体/陶瓷 Bi2O3掺杂 低温烧结 电磁性能 显微结构
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 35-37,40
• 页数: 4页
• 分类号: TB332
• 字数: 2893字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2008.10.011

摘要

先采用sol-gel法制得Pb0.95Sr0.05(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)纳米粉料,再采用固相反应法制备NiCuZn/PZT铁氧体/陶瓷复合材料.研究了低温烧结助剂Bi2O3掺杂对复合材料显微结构和电磁性能的影响.当w(Bi2O3)为2.5%时,NiCuZn与PZT的质量比为7:3和6:4的两种复合材料在900 ℃下均可实现低温烧结,其烧结体密度均大于5 g/cm3,其中前者的μ′达到27,ε′大于34,而后者的μ′达到16,ε′大于50,均有望制作成不同性能指标的电感、电容双功能材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗俊	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	19	160	7.0	12.0
2	贾利军	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	52	245	9.0	11.0
3	陈世钗	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	16	88	5.0	8.0
4	张怀武	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	294	2211	20.0	32.0
5	况佳	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	4	25	3.0	4.0