Co2O3-Bi2O3掺杂对NiCuZn/PZT复合材料性能的影响

• 作者: 况佳 张怀武 罗俊 贾利军 陈世钗
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 电子技术 NiCuZn/PZT复合材料 复合掺杂 电磁性能 显微结构
• 年，卷（期）: 2008,（8）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 24-27
• 页数: 4页
• 分类号: TB332
• 字数: 2697字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2008.08.007

摘要

首先用sol-gel法制得Pb0.95Sr0.05(Zr0.52Ti0.48)O3 (PZT)纳米粉料,然后用固相法制备NiCuZn/PZT铁氧体/陶瓷复合材料.研究了Co2O3-Bi2O3复合掺杂对复合材料性能的影响.结果表明:当w(Bi2O3)=2.5%时,引入适量的Co2O3掺杂不仅可使品质因数提高到235,同时介电常数和烧结体密度分别提高到55和5.01 g/cm3,介质损耗下降到0.065.其电磁性能满足电容器和电感器的制作要求,有望成为用于叠片滤波器的电感、电容复合双性材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗俊	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	19	160	7.0	12.0
2	贾利军	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	52	245	9.0	11.0
3	陈世钗	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	16	88	5.0	8.0
4	张怀武	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	294	2211	20.0	32.0
5	况佳	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	4	25	3.0	4.0